Рада ухвалила закон про мобілізацію: що змінюється для українців
Долар 41.54 ₴ (+0.12), євро 44.98 ₴ (-0.05)
Кременчук: +18°C, ясно. Увечері до +12°C.
День працівників соціальної сфери. Всесвітній день сміху.
Сьогодні святкують: Максим, Віктор, Тамара
Овен: Хороший день для нових починань. Зірки сприяють ініціативі.
2004 — Кіпр, Чехія та 8 інших країн вступили до Євросоюзу
Паливо знову подорожчало: А-95 переступив психологічну межу
Apple iPhone 17 Air: все що відомо про найтоншу модель
Дослідники з Массачусетського технологічного інституту (MIT) зробили значний прорив у галузі електроніки, замінивши традиційний кремній у транзисторах на магнітний напівпровідник. Цей підхід може рево
Дослідники з Массачусетського технологічного інституту (MIT) зробили значний прорив у галузі електроніки, замінивши традиційний кремній у транзисторах на магнітний напівпровідник. Цей підхід може революціонізувати створення компактних, швидких і енергоефективних електронних пристроїв.
Використовуючи новий магнітний матеріал, команда MIT змогла значно підвищити ефективність транзисторів. Завдяки унікальним магнітним властивостям, транзистори отримали можливість вбудованої пам'яті, що спрощує проєктування електронних схем і відкриває нові горизонти для високопродуктивної електроніки.
Цей прорив став можливим завдяки поєднанню магнетизму з напівпровідниковою фізикою, що дозволяє створити ефективні спінтронні пристрої. Хром сульфур бромід, двовимірний матеріал, виявився ідеальним кандидатом для таких транзисторів, оскільки він дозволяє чітко перемикатися між двома магнітними станами.
Нова технологія дозволяє транзисторам не лише вмикатися та вимикатися, але й запам'ятовувати інформацію, що сприяє швидшому й більш надійному зчитуванню даних. Дослідники планують продовжити вивчення можливостей керування пристроєм за допомогою електричного струму і розробити масштабовані методи для виробництва масивів транзисторів.
Без спаму. Лише топ-матеріали Gosta. Відписатись в один клік.